发明名称 一种法拉电容多级串联电压均衡电路
摘要 本实用新型公开了一种法拉电容多级串联电压均衡电路,该电路包括法拉电容(C1)和(C2),可控硅(D1)和(D2),限流电阻(R1)和(R2),法拉电容(C1)的正极接5V电压,法拉电容(C1)的负极接法拉电容(C2)的正极,法拉电容(C2)的负极接地,法拉电容(C1)的正极接可控硅(D1)的阴极,可控硅(D1)的控制极与可控硅(D1)的阴极短路;可控硅(D1)的阳极接限流电阻(R1),限流电阻(R1)接法拉电容(C1)的负极及可控硅(D2)的负极,可控硅(D2)的控制极与可控硅(D2)的负极短路,可控硅(D2)的阳极接限流电阻(R2),限流电阻(R2)的另一端接地。本实用新型实现了每个法拉电容的电压均衡,避免电压分配不均,大幅度提高单只法拉电容的寿命、存储能量。
申请公布号 CN201138793Y 申请公布日期 2008.10.22
申请号 CN200720030861.X 申请日期 2007.11.21
申请人 浪潮电子信息产业股份有限公司 发明人 于治楼
分类号 H03G11/00(2006.01) 主分类号 H03G11/00(2006.01)
代理机构 济南信达专利事务所有限公司 代理人 姜明
主权项 1、一种法拉电容多级串联电压均衡电路,包括法拉电容(C1)和(C2),可控硅(D1)和(D2),限流电阻(R1)和(R2),其特征在于法拉电容(C1)的正极接5V电压,法拉电容(C1)的负极接法拉电容(C2)的正极,法拉电容(C2)的负极接地,法拉电容(C1)的正极接可控硅(D1)的阴极,可控硅(D1)的控制极与可控硅(D1)的阴极短路;可控硅(D1)的阳极接限流电阻(R1),限流电阻(R1)接法拉电容(C1)的负极及可控硅(D2)的负极,可控硅(D2)的控制极与可控硅(D2)的负极短路,可控硅(D2)的阳极接限流电阻(R2),限流电阻(R2)的另一端接地。
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