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发明名称 GAN-BASED PERMEABLE BASE TRANSISTOR AND METHOD OF FABRICATION
摘要
申请公布号 EP1690290(A4) 申请公布日期 2008.10.22
申请号 EP20040793931 申请日期 2004.10.01
申请人 BAE SYSTEMS INFORMATION AND ELECTRONIC SYSTEMS INTEGRATION, INC. 发明人 GUNTER, LIBERTY, L.;CHU, KANIN;EDDY, CHARLES, R., JR.;MOUSTAKAS, THEODORE, D.;BELLOTTI, ENRICO
分类号 H01L21/335;H01L21/3065;H01L21/329;H01L27/06;H01L27/082;H01L29/06;H01L29/20;H01L29/32;H01L29/739;H01L29/772 主分类号 H01L21/335
代理机构 代理人
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