发明名称 |
半导体集成电路器件 |
摘要 |
本发明涉及一种三值输出多通道半导体集成电路的布图,提供一种提高半导体集成电路的集成度、用于使输出特性稳定的最佳半导体集成电路的布图设计。三值输出电路构成为:以输出连接焊盘为中心、在一方配置第二高侧晶体管(5)、二极管(8)、第二电平移位电路(7),在另一方配置低侧晶体管(10)、第一高侧晶体管(4)、第一电平移位电路(6)、前置驱动器(9),将各单元排列成一列,且第二高侧晶体管(5)和低侧晶体管(10)夹持输出连接焊盘(11),上述第一电平移位电路(6)、上述第二电平移位电路(7)和上述前置驱动器(9)的单元宽度相当于上述低侧晶体管(10)的单元宽度。 |
申请公布号 |
CN100428462C |
申请公布日期 |
2008.10.22 |
申请号 |
CN200510075432.X |
申请日期 |
2005.06.01 |
申请人 |
松下电器产业株式会社 |
发明人 |
前田荣作;前岛明广;松永弘树;金田甚作;笹田昌彦 |
分类号 |
H01L23/52(2006.01);H01L23/50(2006.01);H01L21/60(2006.01);H01L21/82(2006.01) |
主分类号 |
H01L23/52(2006.01) |
代理机构 |
永新专利商标代理有限公司 |
代理人 |
胡建新 |
主权项 |
1、一种半导体集成电路,其特征在于包括:第一输出晶体管,形成在半导体衬底上,包含位于第一金属层的第一源电极和位于第一金属层的第一漏电极,第一源电极及第一漏电极的一方包含不少于一个的直线状的部分电极,另一方包围此部分电极;第二输出晶体管,形成在半导体衬底上,包含位于第一金属层的第二源电极和位于第一金属层的第二漏电极,第二源电极及第二漏电极的一方包含不少于一个的直线状的部分电极,另一方包围此部分电极;输出焊盘,按照第二输出晶体管、第一输出晶体管、输出焊盘的顺序布置成一列;第一连接布线,位于与第一金属层不同层的第二金属层、且将输出焊盘与第一漏电极之间电连接;以及第二连接布线,位于第二金属层、且将第一输出晶体管的第一漏电极与第二输出晶体管的第二漏电极之间电连接。 |
地址 |
日本大阪府 |