| 发明名称 | 热制程控制方法以及热制程系统 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种热制程控制方法以及热制程系统，所述热制程控制方法，首先提供一梯度系数矩阵及第一加热模型。依据该第一加热模型，于第一晶圆批次执行第一制程回合。继之，测量该第一晶圆批次中至少一晶圆的膜厚。利用该梯度系数矩阵及该膜厚测量值，执行一统计制程控制分析。并依据该统计制程控制分析的结果，修正该第一加热模型，以取得一第二加热模型。依据该第二加热模型，于第二晶圆批次执行第二制程回合。本发明解决了现有技术中的问题，并且可防止因为制程回合不连续执行而造成的错误。 | ||
| 申请公布号 | CN100428092C | 申请公布日期 | 2008.10.22 |
| 申请号 | CN200510087139.5 | 申请日期 | 2005.07.27 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 张永志;孙正一;郭俊一;叶辅焜;沈学琪 |
| 分类号 | G05B13/00(2006.01);G05D23/00(2006.01);G05D23/19(2006.01);H01L21/00(2006.01) | 主分类号 | G05B13/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人 | 刘新宇 |
| 主权项 | 1、一种热制程控制方法，所述热制程控制方法包括：提供一梯度系数矩阵，其中该梯度系数矩阵使用多个线性回归来分析温度设定和之前执行的制程回合所产生的薄膜厚度测量值；定义第一加热模型；依据该第一加热模型，于第一晶圆批次执行第一制程回合；测量该第一晶圆批次中至少一晶圆的膜厚；利用该梯度系数矩阵及该膜厚测量值，执行一统计制程控制分析；依据该统计制程控制分析的结果，修正该第一加热模型，以取得一第二加热模型；以及依据该第二加热模型，于第二晶圆批次执行第二制程回合。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号 | ||