| 发明名称 | 浅沟槽隔离的沟槽形成方法和半导体结构 | ||
| 摘要 | 一种沟槽形成方法，包括：提供一半导体衬底；在所述半导体衬底表面形成第一介质层；在所述第一介质层表面形成第二介质层；在所述第一介质层和第二介质层中形成定义沟槽位置的开口；沉积覆盖所述第二介质层和开口侧壁以及底部的第三介质层；刻蚀所述第二介质层和开口底部表面的第三介质层；刻蚀所述衬底形成沟槽。本发明的浅沟槽隔离结构的沟槽形成方法能够进一步缩小沟槽的线宽特征尺寸。 | ||
| 申请公布号 | CN101290874A | 申请公布日期 | 2008.10.22 |
| 申请号 | CN200710039811.2 | 申请日期 | 2007.04.20 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 朱旋 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01);H01L21/76(2006.01);H01L23/00(2006.01);H01L27/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/02(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李文红 |
| 主权项 | 1、一种沟槽形成方法，包括：提供一半导体衬底；在所述半导体衬底表面形成第一介质层；在所述第一介质层表面形成第二介质层；在所述第一介质层和第二介质层中形成定义沟槽位置的开口；沉积覆盖所述第二介质层和开口侧壁以及底部的第三介质层；刻蚀所述第二介质层和开口底部表面的第三介质层；刻蚀所述衬底形成沟槽。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||