纳米单晶锑丝/三氧化二铝有序介孔复合体及制备方法

摘要

本发明公开了一种纳米单晶锑丝/三氧化二铝有序介孔复合体及制备方法。复合体包括三氧化二铝有序介孔双通模板，特别是复合体是由一面覆有导电体的三氧化二铝有序介孔模板和均匀分布在其孔中的单晶锑纳米丝构成，复合体的比表面积为4.5～10m²/g、孔隙率为0～10％，单晶锑纳米丝的直径为10～60nm，丝长为1nm～120μm；方法包括分别用阳极氧化法、金属氯化物去除法和磷酸开孔法得到三氧化二铝有序介孔双通模板，特别是先将模板的一面覆上导电体，再将模板在7～25℃下置于由三氯化锑、柠檬酸和柠檬酸钾配制成的沉积液中，再以导电体为阴极、沉积液中的石墨片为阳极，通以脉冲电流而制得复合体。它对单晶锑纳米丝生长的直径和长度均可控，可广泛地用于纳电子集成电路。

主权项

1、一种纳米单晶锑丝/三氧化二铝有序介孔复合体，包括三氧化二铝有序介孔双通模板的比表面积为9～19m2/g、孔隙率为30～50％、孔径为10～60nm，其特征在于该有序介孔复合体是由一面覆有导电体的三氧化二铝有序介孔模板和均匀分布在该有序介孔模板的孔中的单晶锑纳米丝构成，其中，有序介孔复合体的比表面积为4.5～10m2/g、孔隙率为0～10％，导电体为金箔或银箔或铜箔，单晶锑纳米丝的直径为10～60nm，丝长为1nm～120μm。