| 发明名称 | 通过退火转变相变材料的状态 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件包含预处理过的晶片和接触该预处理过的晶片的退火过的相变材料层。该半导体器件包含接触退火过的相变材料层的第一材料层。 | ||
| 申请公布号 | CN101290967A | 申请公布日期 | 2008.10.22 |
| 申请号 | CN200710105374.X | 申请日期 | 2007.04.19 |
| 申请人 | 奇梦达股份公司;国际商业机器公司 | 发明人 | J·B·菲利普;S·M·罗斯纳格尔 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01);H01L27/24(2006.01);G11C11/56(2006.01) | 主分类号 | H01L45/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 余刚;李丙林 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括：预处理过的晶片；接触该预处理过的晶片的退火过的相变材料层；和接触该退火过的相变材料层的第一材料层。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||