| 发明名称 | 非易失性存储装置及其操作方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种非易失性存储装置及其操作方法。该非易失性存储装置包括以NAND串设置在半导体基底上的存储晶体管。串选择晶体管设置在NAND串的第一端，接地选择晶体管设置在NAND串的第二端。位线在串选择晶体管的外部电连接到半导体基底，并连接到接地选择晶体管的栅电极。 | ||
| 申请公布号 | CN101290799A | 申请公布日期 | 2008.10.22 |
| 申请号 | CN200810092453.6 | 申请日期 | 2008.04.11 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 金元柱;朴允童;李承勋;金锡必;玄在雄;成政宪;李太熙 |
| 分类号 | G11C16/02(2006.01);H01L27/115(2006.01);H01L23/522(2006.01);G11C16/26(2006.01) | 主分类号 | G11C16/02(2006.01) |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人 | 郭鸿禧;刘奕晴 |
| 主权项 | 1、一种非易失性存储装置，所述非易失性存储装置包括至少一个NAND串结构，所述至少一个NAND串结构包括：NAND串，具有布置在半导体基底上的多个存储晶体管；串选择晶体管，设置在半导体基底上，位于所述NAND串的第一端；接地选择晶体管，设置在半导体基底上，位于所述NAND串的第二端；位线，电连接到半导体基底和接地选择晶体管的栅电极。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道水原市灵通区梅滩洞416 | ||