发明名称 |
大功率LED多层梯度材料散热通道的构造方法 |
摘要 |
本发明提供大功率LED多层梯度材料散热通道的构造方法,其构造步骤为:1)制备GaN基LED芯片:对GaN基LED外延片进行干法刻蚀,形成L型,露出N-GaN层台面;在P-GaN层表面蒸发一层铟锡氧化物电流扩展层,再蒸发P、N电极,再在P、N电极上镀上纯金;2)制备Cu快速热扩散板:先制作L型的Cu板,磁控溅射一层Ti或Cr,作为粘附层;在Ti层上磁控溅射一层AlN,作为绝缘层;再蒸发一层薄金,镀上一层厚纯金;3)采用热压焊进行纯金键合,将LED芯片倒装在Cu快速热扩散板上。本发明采用高热导、热膨胀系数梯度变化的Au-Au-AlN-Ti多层材料构建LED至Cu快速热扩散板之间的散热通道,解决了大功率LED的散热问题,提高了器件的散热能力和稳定性。 |
申请公布号 |
CN101281944A |
申请公布日期 |
2008.10.08 |
申请号 |
CN200810025449.8 |
申请日期 |
2008.04.30 |
申请人 |
苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
发明人 |
王敏锐;黄宏娟;张宝顺;杨辉 |
分类号 |
H01L33/00(2006.01);H01L21/50(2006.01);H01L21/48(2006.01) |
主分类号 |
H01L33/00(2006.01) |
代理机构 |
南京苏科专利代理有限责任公司 |
代理人 |
陈忠辉 |
主权项 |
1.大功率LED多层梯度材料散热通道的构造方法,其特征在于:采用高热导、热膨胀系数梯度变化的Au-Au-AlN-Ti多层材料构建LED至Cu快速热扩散板之间的散热通道,具体包括以下步骤——①制备GaN基LED芯片:先对GaN基LED外延片进行干法刻蚀,形成L型,露出N-GaN层台面;在P-GaN层表面蒸发一层铟锡氧化物电流扩展层,再利用磁控溅射或电子束蒸发P、N电极,再在P、N电极上镀上纯金;②制备Cu快速热扩散板:先制作L型的Cu板,磁控溅射一层Ti或Cr,作为粘附层;在Ti层上磁控溅射一层AlN,作为绝缘层;继而,再蒸发一层薄金,镀上一层厚纯金;③制备好LED芯片和Cu快速热扩散板后,将LED芯片倒装在Cu快速热扩散板上,进行纯金热压键合;从而,在LED与Cu快速热扩散板之间构造出Au-Au-AlN-Ti材料结构的散热通道。 |
地址 |
215125江苏省苏州市工业园区独墅湖高教区若水路398号 |