| 发明名称 | 半导体器件 | ||
| 摘要 | 在此提供一种半导体器件，其中包括：半导体基片(100)；以及电容器，其提供在该半导体基片上并且包括底电极(116、117、118、119)、顶电极(121、122、123)和置于该底电极和顶电极之间的介电膜(120)，底电极和顶电极中的至少一个包括：选自贵金属膜和贵金属氧化物膜的导电膜(117、123)；金属氧化物膜(119、121)，其具有钙钛矿结构，提供在该介电膜和导电膜之间，由ABO<SUB>3</SUB>所表示，并且包含作为B位置元素的第一金属元素；以及金属膜(118、122)，其提供在该导电膜和金属氧化物膜之间，并且包含作为具有钙钛矿结构的金属氧化物的B位置元素的第二金属元素，当第二金属元素形成氧化物时的吉布斯自由能减小量比在第一金属元素形成氧化物时的吉布斯自由能减小量更大。 | ||
| 申请公布号 | CN100424876C | 申请公布日期 | 2008.10.08 |
| 申请号 | CN200410036653.1 | 申请日期 | 2004.04.29 |
| 申请人 | 株式会社东芝;英芬能技术公司 | 发明人 | 糸川宽志;山川晃司;今井馨太郎;名取克晃;文范基 |
| 分类号 | H01L27/10(2006.01);H01L21/8239(2006.01);H01L21/31(2006.01) | 主分类号 | H01L27/10(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 朱海波 |
| 主权项 | 1. 一种半导体器件，其特征在于包括：半导体基片(100)；以及电容器，其提供在该半导体基片之上并且包括底电极(116、117、118、119)、顶电极(121、122、123)和置于该底电极和顶电极之间的介电膜(120)，底电极包括：选自贵金属膜和贵金属氧化物膜的导电膜(117、123)；金属氧化物膜(119、121)，其具有钙钛矿结构，提供在该介电膜和导电膜之间，由ABO3表示，并且包含作为B位置元素的第一金属元素；以及金属膜(118，122)，其提供在该导电膜和金属氧化物膜之间，并且包含作为具有钙钛矿结构的金属氧化物的B位置元素的第二金属元素，当第二金属元素形成氧化物时的吉布斯自由能减小量比在第一金属元素形成氧化物时的吉布斯自由能减小量更大。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||