晶片的加工方法

摘要

本发明提供一种晶片的加工方法，在磨削晶片的器件区域的背面以在其周围形成环状增强部之后，在晶片的背面覆盖金属膜，并能够在不损伤该金属膜的情况下容易地除去环状增强部。以磨削磨石(74)的轨迹与环状增强部(W4)相交的方式使磨削磨石(74)作用在晶片(W)的背面来磨削环状增强部(W4)，在环状增强部(W4)的磨削面到达在器件区域的背面上覆盖的金属膜(4)的上表面上方的20μm～1μm的位置时结束磨削。由于不需要将磨削磨石(74)准确地对位在环状增强部(W4)的上方，所以控制容易，此外，由于在环状增强部(W4)的磨削面到达金属膜(4)的上表面上方的20μm～1μm的位置时结束磨削，所以不会损伤金属膜。

主权项

1.一种晶片的加工方法，其至少由以下工序构成：环状增强部形成工序，在晶片的表面上形成有将多个器件通过间隔道划分开而形成的器件区域、和围绕该器件区域的外周剩余区域，将该晶片的上述表面侧保持在磨削装置的卡盘工作台上，磨削上述器件区域的背面以形成凹部，并且在该凹部的外周侧形成环状增强部；金属膜覆盖工序，在上述环状增强部形成工序后，在上述晶片的背面覆盖金属膜；和环状增强部除去工序，在上述金属膜覆盖工序后，除去上述环状增强部，其特征在于，在上述环状增强部除去工序中，使用了磨削装置，该磨削装置至少具有：卡盘工作台，其可旋转，并且具有保持晶片的保持面；磨削构件，其磨削轮构成为可旋转，在该磨削轮上呈环状地配置有对保持在上述卡盘工作台上的晶片进行磨削的磨削磨石；以及磨削进给构件，其相对于上述保持面在垂直方向上对上述磨削构件进行磨削进给，将上述晶片的表面侧保持在上述卡盘工作台上并使其旋转，并且在使上述磨削轮旋转的同时，通过利用上述磨削进给构件进行磨削进给，来以上述磨削磨石的轨迹与上述环状增强部相交的方式使上述磨削磨石作用在上述晶片的背面上，以磨削上述环状增强部，在上述环状增强部的磨削面到达在上述器件区域背面覆盖的金属膜的上表面上方的20μm～1μm的位置时，结束磨削。