| 发明名称 | 浅沟槽形成方法及浅沟槽结构 | ||
| 摘要 | 一种浅沟槽形成方法，包括：提供半导体基底；在所述半导体基底上顺序形成钝化层及辅助介质层；图形化所述辅助介质层；以图形化的所述辅助介质层为硬掩膜，刻蚀所述钝化层及部分所述半导体基底，以形成所述浅沟槽；或者，在所述半导体基底上顺序形成钝化层及辅助介质层后，图形化所述辅助介质层及所述钝化层；以图形化的所述辅助介质层及所述钝化层为硬掩膜，刻蚀部分所述半导体基底，以形成所述浅沟槽。以及，一种浅沟槽结构，包括浅沟槽、半导体基底、顺序形成于所述半导体基底上的钝化层及辅助介质层，所述浅沟槽贯穿所述辅助介质层、钝化层及部分所述半导体基底。可减少浅沟槽形成过程中钝化层表面损伤。 | ||
| 申请公布号 | CN101281866A | 申请公布日期 | 2008.10.08 |
| 申请号 | CN200710039251.0 | 申请日期 | 2007.04.03 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 何德飚;宋伟基 |
| 分类号 | H01L21/308(2006.01);H01L21/76(2006.01) | 主分类号 | H01L21/308(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李文红 |
| 主权项 | 1. 一种浅沟槽形成方法，包括：提供半导体基底；在所述半导体基底上顺序形成钝化层及辅助介质层；图形化所述辅助介质层；以图形化的所述辅助介质层为硬掩膜，刻蚀所述钝化层及部分所述半导体基底，以形成所述浅沟槽。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||