| 发明名称 | 纳米信道闪速存储器 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种纳米信道闪速存储器，包括：栅极结构，形成于基板之上；漏极与源极，形成于该栅极结构的两侧；复数载子捕获结构，形成于该栅极结构的侧壁；纳米信道，连接该漏极与源极且位于该栅极结构的下侧，其中该栅极结构包含高介电栅极介电层。本发明采用纳米碳管作为半导结构以利于制作纳米级存储组件，提升操作性能。本发明更提出多位闪速存储器，以提升组件密度。 | ||
| 申请公布号 | CN101281930A | 申请公布日期 | 2008.10.08 |
| 申请号 | CN200710095812.9 | 申请日期 | 2007.04.04 |
| 申请人 | 江国庆 | 发明人 | 江国庆 |
| 分类号 | H01L29/788(2006.01);H01L27/115(2006.01) | 主分类号 | H01L29/788(2006.01) |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 任默闻 |
| 主权项 | 1. 一种纳米信道闪速存储器，其特征在于，该纳米信道闪速存储器包括：多重栅极结构包含浮动栅极以及控制栅极形成于基板之上；漏极与源极形成于所述多重栅极的两侧；纳米碳管，其连接所述漏极与源极且位于所述多重栅极的下侧，以偏压使载子通过纳米碳管且注入所述浮动栅极或移出所述浮动栅极，其中所述多重栅极为堆栈栅极或分栅结构。 | ||
| 地址 | 台湾省台北县 | ||