Verfahren und Vorrichtung zur photolithographischen Strukturierung in der Halbleitertechnologie

摘要

Die Erfindung betrifft die Photolithographie mittels polarisierten Lichtes. Dabei werden Maskenstrukturen unterschiedlicher Klassen auf einen Wafer übertragen, die sich dadurch unterscheiden, dass die erste Strukturklasse bei der Abbildung mit polarisiertem Licht Nachteile in der Abbildungsqualität erleidet, während die zweite Strukturklasse polarisiertes Licht benötigt, wobei eine lokale, auf Gebiete mit Strukturelementen der ersten Klasse begrenzte Umwandlung der Polarisation des Lichtes erfolgt. Die Erfindung kann in der Halbleitertechnologie Anwendung finden.