发明名称 Halbleiterpackage mit einer ein Die aufnehmenden durchgehenden Ausnehmung und einer Verbindungsbohrung und ein Verfahren zu deren Herstellung
摘要 Die vorliegende Erfindung schafft ein Halbleiterpackage mit einer ein Die aufnehmenden durchgehenden Ausnehmung und einer verbindenden durchgehenden Ausnehmungsstruktur mit einem Substrat mit einer einen Die aufnehmenden durchgehenden Ausnehmung, einer verbindenden durchgehenden Ausnehmungsstruktur und ersten Kontaktanschlüssen auf einer oberen Fläche und zweiten Kontaktanschlüssen auf einer unteren Fläche des Substrats. Ein Die ist in der das Die aufnehmenden durchgehenden Ausnehmung angeordnet. Ein erstes Klebematerial ist unter dem Die angeordnet und ein zweites Klebematerial ist in dem Spalt zwischen dem Die und der Seitenwand der das Die aufnehmenden durchgehenden Ausnehmung des Substrats angeordnet. Weiter in ein Bondingdraht ausgebildet zum Koppeln der Bondinganschlüsse und der ersten Kontaktanschlüsse. Eine dielektrische Schicht ist auf dem Bondingdraht, dem Die und dem Substrat ausgebildet.
申请公布号 DE102008010098(A1) 申请公布日期 2008.08.28
申请号 DE20081010098 申请日期 2008.02.20
申请人 ADVANCED CHIP ENGINEERING TECHNOLOGY INC. 发明人 YANG, WEN-KUN;LIN, DIANN-FANG;WANG, TUNG-CHUAN;HSU, HSIEN-WEN
分类号 H01L23/50;H01L21/60 主分类号 H01L23/50
代理机构 代理人
主权项
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