Wafer Level Package (WLP) mit guter CTE-Eigenschaft und Verfahren zu deren Herstellung

摘要

Die vorliegende Erfindung schafft eine Struktur eines Packages mit einem Substrat mit einer Höhlung zur Aufnahme eines vorgeformten Dies und/oder Anschlusskontaktpads, die in einer oberen Fläche des Substrats ausgebildet sind. Ein Die ist in der Höhlung durch Kleben aufgenommen. Eine dielektrische Schicht ist aus dem Die und dem Substrat ausgebildet. Wenigstens eine Redistributionsschicht (RDL) ist auf der dielektrischen Schicht ausgebildet und mit dem Die gekoppelt und mit dem Die über Anschlusspads gekoppelt. Eine Verbindungsstruktur, beispielsweise UBM, ist über der Redistributionsschicht ausgebildet. Leitfähige Anschlusspunke sind mit der UBM gekoppelt.