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Eine Ladungsträgerspeicherschicht (3) befindet sich in einem Gebiet mit einer vorgegebenen Tiefe von einer Oberfläche eines N<SUP>-</SUP>-Substrats (1), ein Basisgebiet (2) befindet sich in einem Gebiet mit einer kleineren als der vorgegebenen Tiefe und ein Emittergebiet (4) befindet sich in einer Oberfläche des N<SUP>-</SUP>-Substrats. Die Ladungsträgerspeicherschicht (3) wird durch Phosphor ausgebildet, der so injiziert wird, dass er eine maximale Störstellenkonzentration in der vorgegebenen Tiefe hat, das Basisgebiet (2) wird durch Bor ausgebildet, das so injiziert wird, dass es die maximale Störstellenkonzentration in einer kleineren als der vorgegebenen Tiefe hat, und das Emittergebiet (4) wird durch Arsen ausgebildet, das so injiziert wird, dass es die maximale Störstellenkonzentration an der Oberfläche des N<SUP>-</SUP>-Substrats hat. Eine Öffnung (1a) erstreckt sich durch das Emittergebiet (4), durch das Basisgebiet (2) und durch die Ladungsträgerspeicherschicht (3). An der Innenwand der Öffnung (1a) ist eine Gate-Elektrode (8) ausgebildet, wobei die Gate-Isolierlage (7) dazwischen liegt.
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