| 发明名称 | 用于高压工艺的横向PNP器件结构 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种用于高压工艺的横向PNP器件结构，由内向外包括集电极、发射极、基极和衬底，还包括栅，该栅设于集电极和发射极之间。本发明的横向PNP器件可以使用于各种高压工艺，具有成本低，无需增加额外工艺步骤，与常规高压工艺兼容，面积小，噪声低的特点。 | ||
| 申请公布号 | CN101202303A | 申请公布日期 | 2008.06.18 |
| 申请号 | CN200610119565.7 | 申请日期 | 2006.12.13 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 李平梁 |
| 分类号 | H01L29/735(2006.01) | 主分类号 | H01L29/735(2006.01) |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 顾继光 |
| 主权项 | 1.一种用于高压工艺的横向PNP器件结构，由内向外包括集电极、发射极、基极和衬底，其特征在于，还包括栅，该栅设于集电极和发射极之间。 | ||
| 地址 | 201206上海市浦东新区川桥路1188号 | ||