| 发明名称 | 栅极结构、包含栅极结构的器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种栅极结构制造方法，包括：在半导体衬底上形成氧化层；沉积栅层，所述栅层覆盖所述氧化层；刻蚀所述栅层，以形成栅极；去除未被所述栅极覆盖的所述氧化层；沉积阻挡层，所述阻挡层覆盖所述栅极及所述半导体衬底。通过去除现行栅极结构中包含的侧墙，可最大幅度地扩大各栅极结构间线缝尺寸。 | ||
| 申请公布号 | CN101202221A | 申请公布日期 | 2008.06.18 |
| 申请号 | CN200610147324.3 | 申请日期 | 2006.12.15 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 张文广;郭佳衢 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L29/78(2006.01);H01L29/423(2006.01) | 主分类号 | H01L21/28(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 逯长明 |
| 主权项 | 1.一种栅极结构制造方法，包括：在半导体衬底上形成氧化层；沉积栅层，所述栅层覆盖所述氧化层；刻蚀所述栅层，以形成栅极；去除未被所述栅极覆盖的所述氧化层；沉积阻挡层，所述阻挡层覆盖所述栅极及所述半导体衬底。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||