| 发明名称 | 等离子体蚀刻方法 | ||
| 摘要 | 一种蚀刻方法，该蚀刻方法用于在半导体晶片等的被蚀刻体(212)的表面，形成具有毫米数量级的开口尺寸(R)的凹部(220)。在该方法中，首先在被蚀刻体(212)的表面上形成具有与凹部(220)相对应的开口部分的掩模(214)。接着，形成有掩模(214)的被处理体(212)设置于等离子体用的处理容器内，采用等离子体在处理容器内进行蚀刻。在本发明中，掩模(214)的材料采用与被蚀刻体(212)相同的材料，比如硅(Si)。由此，上述那样的凹部(220)按照实质上底面(222)不形成副沟槽形状(周缘部的深度大于中间部的，经蚀刻的形状)的方式形成。 | ||
| 申请公布号 | CN100395873C | 申请公布日期 | 2008.06.18 |
| 申请号 | CN02824576.8 | 申请日期 | 2002.12.09 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 永关一也;三村高范;宫岛弘树 |
| 分类号 | H01L21/3065(2006.01) | 主分类号 | H01L21/3065(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 1.一种用于在被蚀刻体的表面形成凹部的蚀刻方法，其特征在于，通过形成于所述被蚀刻体的表面的掩模的开口部分，借助等离子体蚀刻形成所述凹部，并且，所述被蚀刻体的至少形成所述凹部的部分的材料，与所述掩模的至少所述开口部分周边的材料均为硅，所述掩模的开口部分具有5mm以上的开口尺寸。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||