浮栅闪存器件结构

摘要

本发明公开了一种浮栅闪存器件结构，包括源极和漏极，在所述源极和漏极之间间隙的上方设置有多晶硅浮栅和控制栅，所述浮栅与所述源极和漏极之间隔有二氧化硅层，所述浮栅为两端有向上突起的尖角的“凹”字形，所述控制栅为拐角位置都垂直的“Z”字形，所述控制栅的本体部分位于所述浮栅的一侧，所述控制栅的覆盖部分部分罩住所述浮栅，所述浮栅被所述控制栅的覆盖部分罩住的部分包括浮栅的一个尖角，所述浮栅与所述控制栅的覆盖部分之间隔有二氧化硅。本发明通过上述结构，使得浮栅的尖角更尖，从而大大的提高了浮栅闪存器件的耐用度。

主权项

1.一种浮栅闪存器件结构，包括源极和漏极，在所述源极和漏极之间间隙的上方设置有多晶硅浮栅和控制栅，所述浮栅与所述源极和漏极之间隔有二氧化硅层，其特征在于，所述浮栅为两端有向上突起的尖角的“凹”字形，所述控制栅为拐角位置都垂直的“Z”字形，所述控制栅包括本体部分和覆盖部分，所述“Z”字形控制栅的下部为本体部分，所述“Z”字形控制栅的上部为覆盖部分，所述控制栅的本体部分位于所述浮栅的一侧，所述控制栅的覆盖部分部分罩住所述浮栅，所述浮栅被所述控制栅的覆盖部分罩住的部分包括浮栅的一个尖角，所述浮栅与所述控制栅的覆盖部分之间隔有二氧化硅。