氮化物类半导体元件及其制造方法

摘要

本发明提供一种氮化物类半导体元件，该氮化物类半导体元件包括：由氮化物类半导体构成的基板；在基板上形成的、由形成有向第一方向延伸的光波导的氮化物类半导体构成的氮化物类半导体层；在至少除光波导的端面附近以外的区域，沿光波导延伸的第一方向，在与基板的形成有氮化物类半导体层的一侧相反的一侧的表面上形成的第一台阶部。

主权项

1.一种氮化物类半导体元件的制造方法，其特征在于，包括：在基板上形成具有向第一方向延伸的光波导的氮化物类半导体层的工序；沿与所述光波导延伸的所述第一方向交叉的第二方向进行第一分割的工序；在与所述基板的形成有所述氮化物类半导体层的一侧相反的一侧的表面，且在与向所述第二方向延伸的基于所述第一分割的分割面间隔规定距离的区域，通过照射激光形成向所述第一方向延伸的元件分割用沟槽的工序；和通过沿所述元件分割用沟槽进行第二分割来形成氮化物类半导体元件的工序。