| 发明名称 | 硅片浅沟槽隔离刻蚀的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种硅片浅沟槽隔离刻蚀的方法，用于在硅片上进行浅沟槽隔离刻蚀，所述的硅片为多层结构，包括硬质掩模层、氧化层、硅基层，首先进行硬质掩模层和氧化层的刻蚀；然后对硅基层刻蚀沟槽，所采用的刻蚀工艺气体为包含HeO气体的混合气体，HeO气体的流量为15～25sccm，刻蚀过程中下射频电源的功率为80～100W。通过降低下射频电源的功率和适当增加HeO的方法，使沟槽的侧壁比较光滑，并减小了聚合物在沟槽侧壁上的沉积，从而改善了沟槽侧壁剖面的弧度，主要适用于对半导体硅片进行浅沟槽隔离刻蚀。 | ||
| 申请公布号 | CN101202225A | 申请公布日期 | 2008.06.18 |
| 申请号 | CN200610165127.4 | 申请日期 | 2006.12.13 |
| 申请人 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 发明人 | 霍秀敏 |
| 分类号 | H01L21/3065(2006.01);H01L21/76(2006.01) | 主分类号 | H01L21/3065(2006.01) |
| 代理机构 | 北京凯特来知识产权代理有限公司 | 代理人 | 赵镇勇;郭宗胜 |
| 主权项 | 1.一种硅片浅沟槽隔离刻蚀的方法，用于在硅片上进行浅沟槽隔离刻蚀，所述的硅片为多层结构，包括硬质掩模层、氧化层、硅基层，其特征在于，包括步骤：A、硬质掩模层刻蚀步；B、氧化层刻蚀步；C、硅基层刻蚀步，用于对硅基层刻蚀沟槽，所采用的刻蚀工艺气体为包含HeO气体的混合气体。 | ||
| 地址 | 100016北京市朝阳区酒仙桥东路1号M5座2楼 | ||