| 发明名称 | 一种制备半导体性单壁碳纳米管的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了去除单壁碳纳米管中金属性单壁碳纳米管制备半导体性单壁碳纳米管的方法，是将所述单壁碳纳米管置于一定强度的光下照射，即去除金属性单壁碳纳米管，得到所述半导体性单壁碳纳米管，其中，照射到碳纳米管样品表面、波长范围在180nm～11μm内的光的总强度为30mW/cm<SUP>2</SUP>～300mW/cm<SUP>2</SUP>。相对于已有的方法，本发明方法具有操作步骤简单易控且环保、去除金属性单壁碳纳米管的效果好、适用性广、成本低廉、并能保持碳管原貌等诸多优点，具有非常强的实用性和广阔的应用前景。 | ||
| 申请公布号 | CN101200291A | 申请公布日期 | 2008.06.18 |
| 申请号 | CN200710178428.5 | 申请日期 | 2007.11.30 |
| 申请人 | 北京大学 | 发明人 | 张锦;张永毅;张依;刘忠范 |
| 分类号 | C01B31/02(2006.01);B82B3/00(2006.01) | 主分类号 | C01B31/02(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 关畅 |
| 主权项 | 1.一种去除单壁碳纳米管中金属性单壁碳纳米管制备半导体性单壁碳纳米管的方法，是将所述单壁碳纳米管置于一定强度的光下照射，利用光照去除金属性单壁碳纳米管，即得到所述半导体性单壁碳纳米管，其中，照射到碳纳米管样品表面、波长范围在180nm～11μm内的光的总强度为30mW/cm2～300mW/cm2。 | ||
| 地址 | 100871北京市海淀区颐和园路5号北京大学 | ||