| 发明名称 | 电子元件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明是有关于一种电子元件的制造方法包含下列步骤：提供一电子元件本体；涂布或喷洒一绝缘层在电子元件本体的至少一表面上；以及涂布或喷洒一导电层在绝缘层之上，其中，导电层具有一接地部。有利于缩小电子元件的体积，并由形成于绝缘层上的导电层，提供金属屏蔽的作用，而达到防止电磁波干扰的功效。 | ||
| 申请公布号 | CN101202208A | 申请公布日期 | 2008.06.18 |
| 申请号 | CN200610167826.2 | 申请日期 | 2006.12.14 |
| 申请人 | 英业达股份有限公司 | 发明人 | 王力戈 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L21/02(2006.01);H01L23/552(2006.01);H05K9/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 寿宁;张华辉 |
| 主权项 | 1.一种电子元件的制造方法，其特征在于其包括以下步骤：提供一电子元件本体；涂布或喷洒一绝缘层在该电子元件本体的至少一表面上；以及涂布或喷洒一导电层在该绝缘层之上，且该导电层具有一接地部。 | ||
| 地址 | 中国台湾台北市 | ||