| 发明名称 | 阵列衬底、显示器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种在形成多种薄膜图形的区域，在同一照相制版工序中进行中间曝光的场合，中间抗蚀剂膜厚的偏差减小，形成中间抗蚀剂膜厚而加工的工艺保留余地增加而成品率提高、成本降低的阵列衬底、显示器、及其制造方法。在阵列衬底(100)中，在由第2导电膜形成的漏电极(8)、源极端子(62)、及共用连接布线(46)上分别具有，采用不完全曝光抗蚀剂(30)的中间曝光量，形成中间抗蚀剂膜厚而加工的区域(H1、H2、H3)。在该区域(H1、H2、H3)的下层的大致整个区域中，以离衬底(1)的高度基本相同的方式形成有由第1导电膜形成的薄膜图形(12、15)或共用布线(3)。 | ||
| 申请公布号 | CN101202286A | 申请公布日期 | 2008.06.18 |
| 申请号 | CN200710159650.0 | 申请日期 | 2007.11.22 |
| 申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 升谷雄一;野海茂昭;岛村武志;青木理 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01);H01L21/84(2006.01);H01L21/3213(2006.01);H01L21/768(2006.01);G02F1/1362(2006.01);G03F7/20(2006.01) | 主分类号 | H01L27/12(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 王岳;刘宗杰 |
| 主权项 | 1.一种阵列衬底，其具有：衬底；采用不完全曝光抗蚀剂的中间曝光量，形成中间抗蚀剂膜厚而加工的多种薄膜图形；上述多种薄膜图形按照离上述衬底的高度基本相同的方式形成。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||