双功函数半导体装置的制造方法

摘要

一种双功函数半导体装置的制造方法,包括:提供至少一第一区域于一半导体基底之中,且包括至少一第一电极;提供至少一第二区域于该半导体基底之中,且包括至少一第二电极;提供一第一金属层于该第一区域的第一电极之上且该第一金属层包括至少一第一金属和至少一第一功函数调整元素;提供一第二金属层于该第二区域的第二电极之上且该第二金属层包括至少一第二金属;以及对该第一电极施以一第一矽化制程,且对该第二电极施以一第二矽化制程,其中该第一矽化制程和该第二矽化制程系同时进行。