半导体材料之CMP之组合物及方法COMPOSITIONS AND METHODS FOR CMP OF SEMICONDUCTOR MATERIALS

摘要

本发明提供一种用于化学-机械抛光之组合物。该组合物包含研磨剂、第一金属抛光速率改进剂、第二金属抛光速率改进剂及液体载剂。在一实施例中,该第一金属抛光速率改进剂具有相对于标准氢电极小于0.34 V之标准还原电势,且该第二金属抛光速率改进剂具有相对于标准氢电极大于0.34 V之标准还原电势。在其他实施例中,该第一及第二金属抛光速率改进剂为不同氧化剂。