多位准记忆胞的操作方法

摘要

一种多位准记忆胞的操作方法,其中多位准记忆胞包括第一导电型基底、控制闸、电荷储存层及二第二导电型源/汲极区。此操作方法包括将第一型电荷注入电荷储存层的抹除步骤,以及程式化步骤。此程式化步骤包括在基底上施加第一电压,在二源/汲极区上施加第二电压,并在控制闸上施加第三电压。其中,第一第二电压之差足以在基底中产生频带穿隧热电洞,且第三电压可使第二型电荷注入电荷储存层中。此第三电压可有2^n-1(n≧2)种,以将该多位准记忆胞程式化至2^n-1个储存态中的一预定储存态。