发明名称 制程模型中隔离光及阻剂效应的方法
摘要 本发明系一种藉由在图案化制程模型建立时设定修正失焦以及影像平面位置,来改善使用微影方法之半导体制程的整体制程模型校正准确度的方法。藉由将曝光机台的负面影响与光阻的效应分开以实施光学模型与光阻模型的隔离。调整曝光机台以补偿误差。相较于以经验推导最佳焦点位置,本方法包含决定模拟最佳焦点位置之处。
申请公布号 TW200825631 申请公布日期 2008.06.16
申请号 TW096128559 申请日期 2007.08.03
申请人 万国商业机器公司 发明人 韩更;史考特M. 曼斯菲德
分类号 G03F7/20(2006.01);G03F9/02(2006.01);G06F17/50(2006.01) 主分类号 G03F7/20(2006.01)
代理机构 代理人 蔡玉玲
主权项
地址 美国