将湿蚀刻之底切最小化以及提供超低介电常数(K<2 .5)之介电质封孔之方法

摘要

本发明提供了处理位于基材上的薄膜的方法。在一方面,这些方法包括:在从薄膜上去除光阻剂之后,通过在薄膜上沉积包含矽、碳,以及选择性地包含氧和/或氮的薄层,来处理已图案化的低介电常数薄膜。所述的薄层为已图案化的低介电常数薄膜提供一个富碳、疏水的表面。所述薄层也在后续的湿式清洗制程中保护了低介电常数薄膜,并使后续沉积在低介电常数薄膜上的各层不被前驱物渗透。