组合记忆元

摘要

一种组合记忆元,包括一静态随机存取记忆元以及一光罩式唯读记忆编码器(mask read only memory code;mask ROM code),静态随机存取记忆元包括第一与第二反相器,第一反相器包括一第一P型金氧半电晶体与一第一N型金氧半电晶体,且该第一P型金氧半电晶体与该第一N型金氧半电晶体之闸极共同连接至一第一输入节点,该第一P型金氧半电晶体与该第一N型金氧半电晶体之汲极共同连接至一第一输出节点,第二反相器包括一第二P型金氧半电晶体与一第二N型金氧半电晶体,且该第二P型金氧半电晶体与该第二N型金氧半电晶体之闸极共同连接至一第二输入节点,该第二P型金氧半电晶体与该第二N型金氧半电晶体之汲极共同连接至一第二输出节点,其中该第一输入节点与该第二输出节点耦接,且该第一输出节点与该第二输入节点耦接,光罩式唯读记忆编码器与该第一与第二P型金氧半电晶体的源极耦接或与该第一与第二N型金氧半电晶体的源极耦接,并决定记忆元为随机存取记忆模式或唯读记忆模式。