CAMARA DE PROCESAMIENTO AL VACIO PARA SUSTRATOS DE AREA MUY GRANDE.

摘要

Un reactor de plasma para deposición química en fase vapor asistida por plasma (PECVD) para el tratamiento de sustratos de gran tamaño, que comprende una cámara de proceso de vacío (19) como cámara exterior y por lo menos un reactor interior con una alimentación de gas (22) del proceso, y una alimentación de RF (radiofrecuencia) (24) conectada eléctricamente a un cabezal electrodo (25) que actúa como antena de RF, comprendiendo también dicho reactor interior una parte inferior (6) del reactor y una parte superior (2) del reactor, estando conectado herméticamente por lo menos durante el tratamiento de los sustratos en el reactor de plasma y separado por lo menos durante la carga / descarga de los sustratos.