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发明名称 Method of fabricating semiconductor device including elevated source/drain
摘要
申请公布号 KR100578218(B1) 申请公布日期 2006.05.12
申请号 KR19990024017 申请日期 1999.06.24
申请人 发明人
分类号 H01L21/334 主分类号 H01L21/334
代理机构 代理人
主权项
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