| 主权项 |
1.一种半导体工件,其具有一基板,该基板具有一第 一面及一相对第二面,该第一面在一选定区域中具 有一适当的电路图案形成于其上,该基板具有一周 边,该选定区域位在该周边内,其包含: 一支撑结构,其藉由一立体微影方法而层层相叠地 直接施加至该第一面而完全包围该周边且朝该周 边向内延伸但外接于该选定区域,当该工件在相对 第二面及该周边附近受到一酸蚀刻处理时,该支撑 结构具有适当的高度且为一可抗抵酸蚀刻制程之 材料而能有效密封选定区域中之电路图案免受到 酸侵蚀,该支撑结构可进一步强化该工件来抵抗挠 曲失效。 2.如申请专利范围第1项之半导体工件,其中该支撑 结构系自该周边朝内插入。 3.如申请专利范围第1项之半导体工件,其中该支撑 结构邻接该周边。 4.如申请专利范围第1项之半导体工件,其中该支撑 结构之适当高度为介于大约0.060至大约0.2寸之间 。 5.如申请专利范围第4项之半导体工件,其中该支撑 结构具有大约0.1至大约0.8寸的厚度。 6.如申请专利范围第1项之半导体工件,其中该支撑 结构大体上呈圆形。 7.如申请专利范围第1项之半导体工件,其中该支撑 结构为长方形或正方形。 8.如申请专利范围第1项之半导体工件,其中该支撑 结构系一抗酸性紫外线(UV)可硬化材料,其具有至 少一聚合有机物质、至少一自由基聚合有机物质 及至少一氢氧根芳香族化合物。 9.如申请专利范围第1项之半导体工件,其中该电路 图案系经由微影方法所提供。 10.如申请专利范围第1项之半导体工件,其中该支 撑结构系在酸蚀刻之后被移除。 11.如申请专利范围第1项之半导体工件,其中该半 导体工件进一步被包含在一固持装置中,该固持装 置系在将半导体工件放置在一涂覆系统中以产生 该支撑结构之前,以立体微影方式建构在该涂覆系 统中。 12.如申请专利范围第11项之半导体工件,其中该固 持装置符合半导体工件之形状,且具有与该半导体 工件之周边隔开之抵靠部以固持该半导体工件。 13.如申请专利范围第11项之半导体工件,其中该涂 覆系统系一立体微影系统。 14.如申请专利范围第11项之半导体工件,其中该涂 覆系统系一喷墨系统。 15.一种用于收纳一半导体工件之支撑固持装置,该 半导体工件具有一基板,该基板具有一第一面及一 相对第二面,该第一面在一选定区域中具有一适当 的电路图案形成于其上,该基板具有一周边,该选 定区域位在该周边内,其包含以下的组合: 该工件具有一支撑结构,该支撑结构藉由一立体微 影方法而层层相叠地直接施加至该第一面而完全 包围该周边且朝该周边向内延伸但外接于该选定 区域,当该工件在相对第二面及该周边附近受到一 酸蚀刻处理时,该支撑结构具有适当的高度且为一 可抗抵酸蚀刻制程之材料而能有效密封选定区域 中之电路图案免受到酸侵蚀,该支撑结构可进一步 强化该工件来抵抗挠曲失效;以及 该支撑固持装置系在将半导体工件放置在一涂覆 系统中以产生该支撑结构之前,以立体微影方式建 构在该涂覆系统中,且该支撑固持装置进一步符合 该半导体工件之形状,且具有定位在该基板周边之 周围用以固持该半导体工件的抵靠部。 图式简单说明: 图1系一立体分解视图,其中显示其上具有电路图 案之半导体工件以及立体微影固持装置,该固持装 置用以在建构该支撑结构的期间将该半导体工件 固持在定位上; 图2系取自图1之圆圈部分2之半导体工件周边及支 撑结构的部分的详细视图;及 图3系沿图1之剖面线3-3所取之半导体晶圆及支撑 结构之边缘的截面视图。 |
