CMOS-Bildsensor und Verfahren zu dessen Herstellung

摘要

Es werden ein CMOS-Bildsensor und ein Verfahren zu dessen Herstellung angegeben, bei dem die Herstellungskosten durch Verringern der Anzahl von Fotolithografieprozessen verringert ist und die Ausbeute durch Vermeiden eines Ausrichtungsproblems zwischen Farbfilterschichten und Mikrolinsen verbessert ist. Bei einer Ausführungsform enthält der CMOS-Bildsensor eine Unterschicht (100), welche mit einem Einheitspixel (beispielsweise einer Fotodiode und verschiedenen Transistoren) versehen ist, eine Planarisierungsschicht (110) auf der Unterschicht (100) und auf der Planarisierungsschicht (110) in konstanten Abständen gebildete Mikrolinsen-Farbfilter-Strukturen (130).