| 摘要 |
本发明系揭示一种场发射离子源，其在该阳极之至少一发射边缘上具有奈米结构材料。金属系自一金属储存槽转移到该阳极之发射边缘，其中该金属转移到该等奈米结构材料之一发射端且在一施加电场下离子化。可合并复数个离子源以形成一场发射离子源装置。发射源之数目可经由电气或机械式开关加以选择，且可施加不同离子抽取电位。多种不同奈米结构材料包括：单壁奈米碳管及束、寡壁(few–walled)奈米碳管及束、多壁奈米碳管及束，以及碳纤维。含奈米结构材料系藉由电泳、介电泳、化学气相沈积(CVD)、网版印刷及机械方式而整合到该阳极中。金属(较佳为硷性金属)藉由以下插入方法：气相输送、溶液、电化，及固态反应中之一者或组合，而转移到该含奈米结构材料中。 |
