发明名称 | 可降低翻转磁场之磁性随机存取记忆体 | ||
摘要 | 一种可降低翻转磁场之磁性随机存取记忆体,包括有一第一反铁磁层、形成于第一反铁磁层之上之固定层、形成于固定层之上之穿隧能障绝缘层、形成于穿隧能障绝缘层之上之铁磁自由层、以及形成于铁磁自由层之上之多层结构金属层。其中多层结构金属层系由一层以上之金属层堆叠制成,而多层结构金属层中铁磁层和反铁磁层之磁化易轴方向与铁磁自由层之磁化易轴方向配置成正交关系。本发明所揭露之可降低翻转磁场之磁性随机存取记忆体具有降低铁磁自由层的翻转磁场之优点,进而降低写入资料时所需之电流。 | ||
申请公布号 | TW200618254 | 申请公布日期 | 2006.06.01 |
申请号 | TW093135086 | 申请日期 | 2004.11.16 |
申请人 | 财团法人工业技术研究院 | 发明人 | 李元仁;陈永祥;陈威全;高明哲;王连昌 |
分类号 | H01L27/00 | 主分类号 | H01L27/00 |
代理机构 | 代理人 | ||
主权项 | |||
地址 | 新竹县竹东镇中兴路4段195号 |