发明名称 | 发光二极体封装结构及其制作方法 | ||
摘要 | 一种发光二极体封装结构及其制作方法,乃利用由两层矽基材间夹有绝缘层之绝缘矽(silicon–on–insulator,SOI)作为封装基板,然后,于绝缘矽基板之两层矽基材上分别制作凹槽反射座与可将绝缘矽基板分割出正负电极之隔绝槽,再制作数个金属导线电性连接前述两层矽基材,即可将发光二极体晶粒配置于凹槽反射座上并透过金属导线而电性连接至绝缘矽基板之正负电极,藉此可达成发光二极体的封装作业,并提高耐温性、散热性,以及简化制程。 | ||
申请公布号 | TW200623450 | 申请公布日期 | 2006.07.01 |
申请号 | TW093141222 | 申请日期 | 2004.12.29 |
申请人 | 财团法人工业技术研究院 | 发明人 | 陈明鸿;温士逸;郭武政;陈炳儒;翁瑞坪;李孝文 |
分类号 | H01L33/00 | 主分类号 | H01L33/00 |
代理机构 | 代理人 | ||
主权项 | |||
地址 | 新竹县竹东镇中兴路4段195号 |