凹坑闸极及用于制造具有此之半导体元件的方法

摘要

本发明提供一种凹坑闸极与制造具有此凹坑闸极的半导体元件的方法。该凹坑闸极包含：一基板；一具有在基板之预定部分形成有预定深度的凹坑；一形成在具有凹坑之基板上的闸极隔离层；一形成在该闸极隔离层上的闸极多晶矽层；一形成在该闸极多晶矽层之上，且填入该凹坑的闸极金属层；与一形成在该闸极金属层上的闸极硬遮罩。