发明名称 绝缘层被覆形成设备
摘要 一种绝缘层被覆形成设备,适用于在多层晶片被动元件进行电镀前,以镀覆液在每一晶片被动元件表面形成绝缘层,该设备包含一具有容装镀覆液的浸镀槽与装置在浸镀槽中使镀覆液保持恒温之加温件的浸镀装置、一具有清洗槽、可输送清洗水体的输送管,及装设于水洗槽中以喷洒清洗水体之洒水头的清洗装置、一具有可供容置多层晶片被动元件的料架、可容纳该料架的下料槽,及可带动该料架位移之天车的携动装置,及一可程式化地控制该天车作动而带动该料架分别容置入该浸镀槽、水洗槽与下料槽中的控制单元。
申请公布号 TWI298749 申请公布日期 2008.07.11
申请号 TW094146522 申请日期 2005.12.26
申请人 国巨股份有限公司 发明人 蔡淑姿;吴文正;黄国桢
分类号 C25D13/00(200601AFI20080526VHTW) 主分类号 C25D13/00(200601AFI20080526VHTW)
代理机构 代理人 恽轶群 台北市松山区南京东路3段248号7楼;陈文郎 台北市松山区南京东路3段248号7楼
主权项 1.一种绝缘层被覆形成设备,适用于在多层晶片被 动元件进行电镀前,以一镀覆液在每一晶片被动元 件表面形成一绝缘层,该绝缘层被覆形成设备包含 : 一浸镀装置,具有一供容装该镀覆液的浸镀槽,及 一装置在该浸镀槽中而使该镀覆液保持恒温的加 温件; 一清洗装置,具有一临靠近该浸镀槽设置的清洗槽 、一可输送一清洗水体的输送管,及一连接该输送 管并装设于该水洗槽中以喷洒出该清洗水体的洒 水头; 一携动装置,具有一供容置该多层晶片被动元件的 料架、一设置在该清洗槽远离该浸镀槽之一侧且 可容纳该料架的下料槽,及一对应设置在该浸镀槽 、水洗槽与该下料槽上方并可带动该料架位移的 天车;及 一控制单元,可程式化地控制该天车作动而带动该 料架分别容置入该浸镀槽、水洗槽与该下料槽中 。 2.依据申请专利范围第1项所述之绝缘层被覆形成 设备,其中,该控制单元更可程式化地控制该加温 件升/降温。 3.依据申请专利范围第1项所述之绝缘层被覆形成 设备,其中,该控制单元更可程式化地控制该清洗 装置之洒水头喷洒出该清洗水体的量与喷洒时间 。 4.依据申请专利范围第1项所述之绝缘层被覆形成 设备,其中,该浸镀装置更包含一连通该浸镀槽的 过滤管,及一连接该过滤管并可抽取该镀覆液以滤 除杂质的过滤件。 5.依据申请专利范围第1项所述之绝缘层被覆形成 设备,更包含一装设在该浸镀槽上的敲击单元,当 该天车带动该置放有晶片被动元件的料架容置入 该浸镀槽中时,该敲击单元敲动该料架而使晶片被 动元件产生震动,进而让绝缘层细致且精密地形成 。 6.依据申请专利范围第5项所述之绝缘层被覆形成 设备,其中,该敲击单元具有一击锤,及一可输出动 力驱动击锤作动的动力件,且该控制单元可程式化 地控制该动力件输出动力驱动该击锤以预定模式 敲动该料架。 7.依据申请专利范围第1项所述之绝缘层被覆形成 设备,其中,该浸镀装置更具有一与该浸镀槽相连 通的缓冲槽,用以容装一用以平衡该镀覆液浓度之 缓冲液。 图式简单说明: 图1是一侧视示意图,说明本发明绝缘层被覆形成 设备的一第一较佳实施例,并说明该设备的一已容 装有待形成绝缘层之晶片被动元件的料架位于一 下料槽中,准备进行形成绝缘层的制程; 图2是一侧视示意图,说明图1之容装有待形成绝缘 层之晶片被动元件的料架被一天车带动而位于一 浸镀槽中以形成绝缘层; 图3是一侧视示意图,说明图1之容装有已形成绝缘 层之晶片被动元件的料架被该天车带动而位于一 清洗槽中进行清洗; 图4是一侧视示意图,说明本发明绝缘层被覆形成 设备的一第二较佳实施例; 图5是一侧视示意图,说明图4之一敲击单元的一击 锤由一动力件的驱动而作动并敲击该料架;及 图6是一侧视示意图,说明本发明绝缘层被覆形成 设备的一第三较佳实施例。
地址 高雄市楠梓加工出口区西三街16号
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