| 发明名称 |
Verfahren zum Betreiben eines nichtflüchtigen Speicherelements, nichtflüchtiges Speicherelement und Speicherkarte |
| 摘要 |
Ein nichtflüchtiges Speicherelement (1000) umfasst eine Mehrzahl von Speicherzellen; und einen Steuerlogikblock (180), der dazu ausgebildet ist, eine Schreibspannung (VPP) während einer Zeit zwischen einem Ausführen aufeinanderfolgender Schreiboperationen auf einem vorbestimmten Spannungspegel zum Pdes nichtflüchtigen Speicherelements (1000) zu halten.
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| 申请公布号 |
DE102007061406(A1) |
申请公布日期 |
2008.07.10 |
| 申请号 |
DE200710061406 |
申请日期 |
2007.12.12 |
| 申请人 |
SAMSUNG ELECTRONICS CO. LTD. |
发明人 |
KIM, SUN-KWON;LEE, BYEONG-HOON |
| 分类号 |
G11C16/12 |
主分类号 |
G11C16/12 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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