| 发明名称 | 半导体存储器 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体存储器，其中，延迟写入不妨碍刷新动作，并且在延迟写入的写入周期功耗降低。当地址ADD切换时，地址转移检测电路(101)检测此地址变化。状态控制电路(102)接收地址转移检测电路(101)的检测结果，根据输出允许信号/OE及写入允许信号/WE对应该进行的动作作出判断，输出读出指令RS、写入指令WS以及刷新指令FS中的一种。接着，按照时钟信号ACLK拾取地址等输入信号，进行与指令对应的动作。 | ||
| 申请公布号 | CN100401424C | 申请公布日期 | 2008.07.09 |
| 申请号 | CN02811257.1 | 申请日期 | 2002.05.28 |
| 申请人 | 恩益禧电子股份有限公司 | 发明人 | 高桥弘行;中川敦;稻叶秀雄 |
| 分类号 | G11C11/40(2006.01) | 主分类号 | G11C11/40(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 穆德骏;钟强 |
| 主权项 | 1.一种制造半导体存储器的方法，所述半导体存储器具有由需要刷新的存储单元构成的存储单元阵列，并且异步地接收与存取地址一起的写入请求和写入数据，所述方法的特征在于包括以下步骤：在所述存取地址的写入周期之后执行所述存储单元阵列的刷新；在提供了所述写入请求的存储周期之后，利用在所述存储周期提供的所述存取地址和所述写入数据，进行延迟写入；以及，在执行所述延迟写入的写入周期内，根据输出允许信号而禁止读出动作。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||