| 发明名称 | 一种新型的高掺锗型光敏光纤及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本方法发明涉及一种新型的高掺锗型光敏光纤，它是在光纤的芯层中掺入了46％－54％锗元素，光纤的NA值为0.25－0.31。这种高掺锗型的光敏光纤具有大的模场直径和小的衰减，它能够满足信号的传输和传感两方面的需求，这样就可以直接在一段光纤的某些部分刻写上光纤光栅，其余部分作为传输信号的光纤。本发明的一个显著特点在于其具有很高的光敏性能，不需要经过载氢等处理，即可在光纤纤芯中直接刻写光纤光栅。能够节省大量的处理程序和时间，为光纤传感系统提供优良的传感原件。 | ||
| 申请公布号 | CN101216574A | 申请公布日期 | 2008.07.09 |
| 申请号 | CN200710127764.7 | 申请日期 | 2007.06.27 |
| 申请人 | 长飞光纤光缆有限公司 | 发明人 | 涂峰;罗杰;韩庆荣 |
| 分类号 | G02B6/02(2006.01);G02B1/00(2006.01);C03B37/01(2006.01) | 主分类号 | G02B6/02(2006.01) |
| 代理机构 | 武汉开元专利代理有限责任公司 | 代理人 | 马辉 |
| 主权项 | 1.一种新型的高掺锗型光敏光纤，它是在光纤的芯层中掺入了46％-54％锗元素，光纤的NA值为0.25-0.31。 | ||
| 地址 | 430073湖北省武汉市洪山区关山二路4号 | ||