用于层间介电气隙之ＰＥＣＶＤ沉积牺牲聚合物薄膜的紫外光固化

摘要

本发明之实施例大体上提出一种于半导体装置之导电元件间形成气隙的方法，其中气隙的介电常数约为1。气隙的形成一般为于各导电元件间沉积牺牲材料、于导电元件与牺牲材料上沉积多孔层、然后透过多孔层剥除各导电元件间的牺牲材料，而在各导电元件之间留下气隙。牺牲材料例如为聚合α-　品烯层，多孔层例如为多孔的碳掺杂氧化层，剥除制程例如采行紫外线(UV)固化制程。