| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种形成多个具有栅极绝缘膜的晶体管的半导体装置，充分抑制通过栅极绝缘膜流过的泄漏电流。该半导体装置，其特征在于：形成具有半导体衬底、在上述衬底上形成的栅极绝缘膜、和在上述栅极绝缘膜上形成的栅电极的场效应晶体管，上述栅极绝缘膜以氮氧化硅(SiON)为主成分，上述栅极绝缘膜的变形状态是压缩变形状态。 | ||
| 申请公布号 | CN100444402C | 申请公布日期 | 2008.12.17 |
| 申请号 | CN200410058869.8 | 申请日期 | 2004.07.30 |
| 申请人 | 株式会社日立制作所 | 发明人 | 钟个江义晴;岩崎富生;守谷浩志 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01);H01L29/788(2006.01);H01L29/792(2006.01);H01L27/04(2006.01);H01L27/088(2006.01) | 主分类号 | H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 曲瑞 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，其特征在于：形成具有半导体衬底、在上述衬底上形成的栅极绝缘膜、和在上述栅极绝缘膜上形成的栅电极的场效应晶体管，其中上述栅极绝缘膜以氮氧化硅为主成分，上述栅极绝缘膜因向SiON或SiO2中导入氮元素而使变形状态成为压缩变形状态。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||