发明名称 空间相锁定扫描电子束蚀刻方法
摘要 空间相锁定扫描电子束蚀刻方法,其目的是对电子束的位置进行高精度的实时测量,使电子束的位置测量精度达到1nm,在电子束蚀刻胶膜上蒸镀一层SiO膜,再在其上蒸镀一层Cu膜,在Cu膜上面涂一层的紫外光光学感光胶,用激光干涉蚀刻方法进行两次正交曝光,获得一基准网格,采用通用的扫描电子束蚀刻方法,通过探测基准网格发射的二次电子信号,确定电子束的空间位置。本发明在电子束感光材料上面制造一个光栅常数较大的基准网格,通过测量基准网格的二次电子信号的位相来确定电子束位置,实现了在书写过程中对电子束位置进行连续测量,并且可以精确控制各点的曝光剂量。
申请公布号 CN101324757A 申请公布日期 2008.12.17
申请号 CN200710018173.6 申请日期 2007.06.14
申请人 兰州理工大学 发明人 戴剑锋;王青;李维学;魏智强;冯旺军;姜金龙;马军;蒲忠胜;王道斌;任国栋;崔永福
分类号 G03F7/20(2006.01) 主分类号 G03F7/20(2006.01)
代理机构 兰州振华专利代理有限责任公司 代理人 董斌
主权项 1、空间相锁定扫描电子束蚀刻方法,其特征在于在电子束蚀刻胶膜上蒸镀一层SiO膜,再在其上蒸镀一层Cu膜,在Cu膜上面涂一层的紫外光光学感光胶,用激光干涉蚀刻方法进行两次正交曝光,获得一基准网格,采用通用的扫描电子束蚀刻方法,通过探测基准网格发射的二次电子信号,确定电子束的空间位置。
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