| 发明名称 | 硅烷偶联剂皮膜的形成方法 | ||
| 摘要 | 在金属表面形成硅烷偶联剂皮膜的方法。包括以下工序：在金属表面涂布含有硅烷偶联剂的液体的工序；将涂布了所述液体的金属表面，在25～150℃的温度下且在5分钟以内进行干燥的工序；将干燥的金属表面进行水洗的工序。 | ||
| 申请公布号 | CN101322967A | 申请公布日期 | 2008.12.17 |
| 申请号 | CN200810111291.6 | 申请日期 | 2008.06.13 |
| 申请人 | 美格株式会社 | 发明人 | 天谷刚;河口睦行;齐藤知志;出口政史 |
| 分类号 | B05D7/24(2006.01);B05D3/00(2006.01);H05K3/38(2006.01) | 主分类号 | B05D7/24(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 蒋亭;苗堃 |
| 主权项 | 1.硅烷偶联剂皮膜的形成方法，其特征在于，在金属表面形成硅烷偶联剂皮膜，包括以下工序：在金属表面涂布含有硅烷偶联剂的液体的工序，将涂布了所述液体的金属表面，在25～150℃的温度下且在5分钟以内进行干燥的工序，将干燥的金属表面进行水洗的工序。 | ||
| 地址 | 日本兵库县 | ||