| 发明名称 | MRAM装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明为一种包含了位于磁性堆栈(14)之一帽盖层(140)与硬罩幕层(142)之电阻性存储装置(110)及其制造方法，其中该帽盖层(140)或该硬罩幕层(142)之其一乃包含WN；一位于该磁性堆栈(14)下方的种子层(136)亦可包含WN。使用材料WN改善了在制作过程中蚀刻制程的选择性。 | ||
| 申请公布号 | CN100444280C | 申请公布日期 | 2008.12.17 |
| 申请号 | CN03808681.6 | 申请日期 | 2003.04.17 |
| 申请人 | 因芬尼昂技术股份公司 | 发明人 | R·勒斯奇纳;G·斯托贾科维;X·J·宁 |
| 分类号 | G11C11/15(2006.01);G11C11/16(2006.01) | 主分类号 | G11C11/15(2006.01) |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 余刚;李丙林 |
| 主权项 | 1.一种电阻性半导体存储装置的制造方法，包含：提供一工作部件(138)；形成一第一内层级介电层(124)于该工作部件(138)上；配置多个第一导线(112)于该第一内层级介电层(124)内；沉积一氧化物(126)于该第一导线(112)上；形成一种子层(136)于该氧化物上(126)；形成一第一磁性层(120)于该种子层(136)上；形成一穿隧阻障层(118)于该第一磁性层(120)上；沉积一第二磁性层(116)于该穿隧阻障层(118)上；沉积一帽盖层(140)于该第二磁性层(116)上；沉积一硬罩幕材料(142)于该帽盖层(140)上；图形化该硬罩幕材料(142)，以形成一硬罩幕；以及使用所图形化之硬罩幕来图形化该帽盖层(140)、该第二磁性层(116)与该穿隧阻障层(118)，以形成多个穿隧接合，其中沉积一帽盖层(140)、沉积一硬罩幕材料(142)或沉积一种子层(136)中的至少一步骤乃包含沉积WN。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||