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发明名称 Hetero junction bipolar transistor and method of manufacturing the same
摘要
申请公布号 EP1796173(A3) 申请公布日期 2008.12.17
申请号 EP20060125528 申请日期 2006.12.06
申请人 ELECTRONICS AND TELECOMMUNICATIONS RESEARCH INSTITUTE 发明人 KIM, YONG WON;NAM, EUN SOO;KIM, HO YOUNG;LEE, SANG SEOK;JUN, DONG SUK;LEE, HONG YEOL;HONG, SEON EUI;KIM, DONG YOUNG;LIM, JONG WON;OH, MYOUNG SOOK
分类号 H01L29/417;H01L29/737 主分类号 H01L29/417
代理机构 代理人
主权项
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